Samsung Galaxy S6 sẽ đi kèm bộ nhớ UFS thế hệ mới

Công nghệ UFS mới áp dụng cho chip nhớ flash NAND hứa hẹn cung cấp tốc độ truyền tải lên đến 1,2 GB/s.

Dẫn nguồn tin thân cận, ETNews cho biết Samsung sẽ trang bị cho Galaxy S6 công nghệ bộ nhớ nhớ flash NAND mới mang tên UFS 2.0 (Universal Flash Storage).

UFS có thể đạt tốc độ truyền giống như SSD sử dụng bộ nhớ eMMC, cung cấp tốc độ truyền lên đến 1,2 GB/s, nhanh gấp 3 lần so với bộ nhớ eMMC sử dụng trên SSD. Nó cũng sử dụng điện năng thấp hơn eMMC giúp tiết kiệm pin, mà cụ thể phiên bản UFS 2.0 tiết kiệm khoảng một lửa lượng điện năng tiêu thụ so với eMMC 5.0.

Tiêu chuẩn này được thiết lập bởi Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), dựa trên sáng kiến của Samsung, Nokia và Micron vào năm 2007. Toshiba và Hynix cũng tham gia vào nhóm phát triển bộ nhớ UFS 2.0. Samsung dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ flash NAND dựa trên chuẩn bộ nhớ mới trong vài tuần tới.

Tuy nhiên, Samsung không phải là công ty duy nhất làm điều này khi Xiaomi cũng được cho sẽ sử dụng bộ nhớ flash NAND với chuẩn UFS 2.0 trong các sản phẩm sắp tới.

Samsung sẽ dần dần đưa công nghệ UFS vào thẻ SD/microSD cũng như smartphone, và Galaxy S6 có khả năng là sản phẩm đầu tiên, sau đó đến lượt Galaxy Note 5. Đây được xem là yếu tố quan trọng đối với hoạt động kinh doanh smartphone trong những năm tới của Samsung.