Intel xây dựng cơ sở nghiên cứu tiên tiến tại Hàn Quốc, mở rộng quan hệ đối tác với Samsung và SK Hynix

Gã khổng lồ công nghệ Mỹ Intel được cho là đang phát triển một cơ sở nghiên cứu quy mô siêu lớn dựa trên sự phát triển của trung tâm dữ liệu tại Seoul, Hàn Quốc. Trước đó trên sân khấu sự kiện Intel Vision 2023, Intel đã tuyên bố ý định phát triển các cơ sở nghiên cứu tiên tiến tại Hàn Quốc, Hoa Kỳ, Đài Loan, Trung Quốc, Ấn Độ và Mexico. Tuy nhiên, mức độ hiện đại cũng như quy mô của các cơ sở sẽ là khác nhau, tùy vào điều kiện thực tế ở từng khu vực.

Theo kế hoạch, trung tâm nghiên cứu Intel của Intel tại Seoul sẽ chính thức đi vào hoạt động cuối năm nay với tên gọi Advanced Data Center Development Lab. Cơ sở này sẽ tập trung nghiên cứu và chứng nhận các công nghệ bộ nhớ như DDR5 DRAM, cụ thể là xác minh và chứng nhận tính tương thích của DRAM cung cấp cho CPU Intel.

Ngoài việc khai trương cơ sở nghiên cứu mới, Intel còn có kế hoạch mở rộng hợp tác với những các ông lớn khác trong ngành như Samsung và SK Hynix nhằm tối ưu hơn nữa nguồn lực từ các bên. Có thông tin cho rằng Intel đang hợp tác với các đối tác của mình để kiểm tra và đánh giá hiệu suất của các sản phẩm bộ nhớ thế hệ tiếp theo, chẳng hạn như DDR5 và Compute Express Link.

Thị trường công nghệ thời gian qua đã được mở rộng chưa từng thấy kể từ khi AI ra đời. Việc NVIDIA “bắt trend” thành công và sau đó đường đường chính chính gia nhập “câu lạc bộ nghìn tỷ đô” là một ví dụ điển hình về lợi ích của việc biết nắm bắt và tận dụng thời cơ. Do nhu cầu ngày càng tăng đối với các trung tâm dữ liệu và triển vọng lớn của dòng CPU Sapphire Rapids, Intel cũng đang cố gắng tiếp bước thành công của NVIDIA, và việc đưa vào hoạt động các trong tâm nghiên cứu lớn như tại Hàn Quốc là một phần quan trọng trong kế hoạch đó.

Liên quan đến những tiến bộ trong ngành, SK Hynix gần đây đã thông báo rằng quy trình 10nm thế hệ thứ 5 của công ty với tên gọi 1bnm đã hoàn tất quá trình đánh giá, và sẽ là thành phần cung cấp sức mạnh cho các giải pháp DDR5 & HBM3E thế hệ tiếp theo. Đồng thời, nền tảng Xeon Scalable đã được Intel cấp chứng nhận hỗ trợ các sản phẩm DDR5 được xây dựng trên nút 1bnm. Samsung cũng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM 16B DDR5 mới, sẽ sử dụng nút quy trình 12nm. Những tiến bộ này sẽ góp phần cho sự tăng trưởng mạnh mẽ trên toàn thị trường, đặc biệt là trong các ứng dụng như trung tâm dữ liệu, trí tuệ nhân tạo và điện toán thế hệ tiếp theo.