Samsung trình làng DRAM DDR5 32Gb, mở đường cho các mô-đun bộ nhớ lên tới 128GB

Samsung vừa chính thức trình làng giải pháp DRAM DDR5 32Gb đầu tiên trên thế giới dựa trên công nghệ xử lý 12nm, mở đường cho sự xuất hiện của các mô-đun bộ nhớ với dung lượng lên tới 128GB.

Xét trên quy mô thương mại, cho đến nay, các nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu thế giới như SK hynix và Micron mới chỉ làm chủ được công nghệ DRAM DDR5 tối đa 24Gb, cho phép tạo ra các giải pháp bộ nhớ lên tới 96GB. Samsung đã đưa mọi thứ lên một tầm cao mới với giải pháp 32Gb dựa trên nút quy trình 12nm tiên tiến. Trong khi đó, Micron cũng đã xác nhận phát triển thành công DRAM DDR5 32Gb nhưng mới chỉ là trên lý thuyết.

Thành tựu này đạt được sau khi Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM DDR5 16Gb loại 12nm vào tháng 5 năm 2023, đồng thời củng cố vị trí dẫn đầu của Samsung trong công nghệ DRAM thế hệ mới và bộ nhớ dung lượng cao trên quy mô toàn cầu.

“Với DRAM 32Gb 12nm, chúng tôi đã kiến tạo thành công một giải pháp cho phép tạo ra các mô-đun DRAM với dung lượng lên tới 1 terabyte (TB). Đây là một bước tiến quan trọng trong mối cảnh nhu cầu ngày càng tăng về DRAM dung lượng cao của kỷ nguyên AI (Trí tuệ nhân tạo) và dữ liệu lớn (big data)”, ông SangJoon Hwang, Phó Chủ tịch Điều hành Sản phẩm & Công nghệ DRAM tại Samsung Electronics cho biết. “Chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển thêm nhiều giải pháp DRAM tiên tiến khác thông qua các công nghệ thiết kế và quy trình khác biệt để phá vỡ ranh giới của công nghệ bộ nhớ”.

Sau khi phát triển thành công DRAM 64 kilobit (Kb) đầu tiên vào năm 1983, Samsung hiện đã đạt được bước tiến rất lớn trong việc nâng cao dung lượng DRAM, lên gấp 500.000 lần trong còng 40 năm qua.

Sản phẩm bộ nhớ mới nhất của Samsung, được phát triển dựa trên quy trình và công nghệ tiên tiến để tăng mật độ tích hợp và tối ưu hóa thiết kế. Kết quả đạt được là mức dung lượng cao nhất từ trước đến nay cho một chip DRAM, đồng thời cung cấp gấp đôi dung lượng của DRAM DDR5 16Gb trong cùng kích thước gói.

Trước đây, các mô-đun DRAM DDR5 128GB được sản xuất bằng DRAM 16Gb yêu cầu quy trình Through Silicon Via (TSV). Tuy nhiên, bằng cách sử dụng DRAM 32Gb của Samsung, mô-đun 128GB hiện có thể được sản xuất mà không cần sử dụng quy trình TSV, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng khoảng 10% so với mô-đun 128GB với DRAM 16Gb. Bước đột phá về công nghệ này giúp sản phẩm trở thành giải pháp tối ưu cho các doanh nghiệp chú trọng đến hiệu quả sử dụng năng lượng, chẳng hạn như trung tâm dữ liệu.

Với nền tảng là DRAM 32Gb DDR5 12nm, Samsung có kế hoạch tiếp tục mở rộng dòng sản phẩm DRAM dung lượng cao để đáp ứng nhu cầu hiện tại và tương lai của ngành điện toán và ứng dụng như AI. Sản phẩm này cũng sẽ đóng một vai trò quan trọng trong dòng chạy hợp tác liên tục của Samsung với các công ty chủ chốt khác trong ngành.

Kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM DDR5 32Gb loại 12nm mới dự kiến sẽ bắt đầu vào cuối năm nay.