Samsung công bố chip tiến trình 3nm, tiết kiệm năng lượng hơn 50%, nhanh hơn 35% so với chip 7nm

Samsung mới đây đã công bố công nghệ sản xuất chip 3nm,tại sự kiện Samsung Foundry Forum diễn ra vào thứ Ba vừa qua. Đây một bước đột phá mới về công nghệ bộ xử lý, giúp tiết kiệm năng lượng hơn 50% đồng thời gia tăng hiệu năng thêm 35% so với các chip 7nm hiện tại của Samsung.

Chip 3nm mới này dựa trên kiến trúc "Gate All Around" (GAA hay Cổng bao quanh), giúp mang lại các chip có kích thước nhỏ hơn 45%.

Trong năm 2020, Samsung sẽ bắt đầu tiền hành thử nghiệm chip 3nm và sẽ sản xuất hàng loạt cho smartphone và các thiết bị di động vào năm 2021.

Một phiên bản được tinh chỉnh nhiều hơn cho các chip có hiệu năng cao thì phải chờ tới năm 2022 mới được sản xuất hàng loạt.

Với công nghệ GAA, các kênh dẫn sẽ được các cổng hoàn toàn bao quanh thay vì chắn ngang các cực như công nghệ FinFET hiện nay. Trong thiết kế của Samsung, các kênh trong kiến trúc GAA là các kênh phẳng, được gọi là nanosheet (tấm nano), trong khi đó một số nhà sản xuất khác lại hình dung chúng là những hình trụ vô cùng nhỏ được gọi là nanowire (dây nano).

Samsung kỳ vọng công nghệ sản xuất chip 3nm mới này, với các ưu thế về tiết kiệm năng lượng, sẽ giúp hãng thu hút thêm khách hàng.

Handel Jones, người đứng đầu hãng tư vấn International Business Strategies cho rằng với công nghệ GAA, Samsung đang đi trước TSMC khoảng 12 tháng và đi trước Intel tới 2 đến 3 năm.