Samsung vừa chính thức công bố một công nghệ mới có tên gọi là eXtended-Cube (khối lập phương mở rộng - X-Cube), một công nghệ xếp chồng mạch tích hợp (IC) 3D cho phép tạo ra những con chip silicon 3D SRAM-logic ở kích thước 7nm và nhỏ hơn.
Đối với người tiêu dùng, sự xuất hiện của X-Cube hứa hẹn sẽ đáp ứng đầy đủ nhu cầu về chip xử lý sử dụng trong các công nghệ quan trọng hiện nay như 5G, trí tuệ nhân tạo, điện toán hiệu suất cao, các công nghệ di động và thiết bị đeo kiểu mới.
Nhận xét về sản phẩm, ông Moonsoo Kang, Phó chủ tịch cấp cao phụ trách Chiến lược Thị trường sáng tại Samsung Electronics, cho biết:
“Công nghệ tích hợp 3D mới của Samsung sẽ đảm bảo kết nối TSV đáng tin cậy ngay cả đối với các quy trình EUV tiên tiến. Chúng tôi cam kết mang đến nhiều cải tiến về vi mạch 3D có thể vượt qua ranh giới của chất bán dẫn”.
Một trong những lợi ích chính của thiết kế 3D là SRAM (dùng cho bộ nhớ đệm) có thể được xếp chồng lên nhau trên một khuôn logic, giúp giải phóng đáng kể không gian để tích hợp nhiều bộ nhớ hơn trong một diện tích nhỏ hơn. Điều này cũng có nghĩa là đường dẫn tín hiệu giữa các khuôn ngắn hơn giúp tăng tốc độ truyền dữ liệu và hiệu quả năng lượng.
Điều này khác hoàn toàn so với phương pháp thông thường được sử dụng hiện nay khi SRAM được đặt trên cùng một mặt phẳng bên cạnh các chip logic như CPU và GPU. Cách làm này tất nhiên tiêu tốn nhiều diện tích hơn hẳn.
Nhà sản xuất Hàn Quốc cho biết họ có kế hoạch làm việc với các đối tác lớn trên toàn cầu để xây dựng một giải pháp chung thuận lợi cho việc triển khai nhiều giải pháp vi mạch X-Cube 3D khác nhau, qua đó nâng cao hiệu quả ứng dụng trong thực tế. Ngoài ra, Samsung cũng sẽ cung cấp các giải pháp và quy trình thiết kế dựa trên công nghệ X-Cube cho các đối tác để họ có thể bắt đầu thiết kế chip 7nm và 5nm với quy trình EUV càng sớm càng tốt.
Thông tin chi tiết về công nghệ này sẽ được chia sẻ một lần nữa tại hội nghị thường niên Hot Chips, dự kiến diễn ra dưới dạng sự kiện trực tuyến từ ngày 16/8 - 18/8.