Samsung phát hành mô-đun nhớ “3D” với mật độ lớn hơn 50%

Các chip nhớ được xếp chồng lên nhau theo chiều thẳng đứng.

Hôm 7/12/2010, Samsung đã thông báo mô-đun bộ nhớ DIMM 8GB mới, với khả năng xếp chồng các chip nhớ lên nhau, làm tăng mật độ của bộ nhớ lên 50% so với công nghệ DIMM thông thường.

Ảnh mang tính minh họa. (Nguồn internet)

Sản phẩm RDIMM (registered DIMM) mới của Samsung được dựa trên mạch Green DDR3 DRAM 40nm. Mô-đun bộ nhớ mới được nhắm vào các thị trường máy chủ và lưu trữ doanh nghiệp.

Quá trình xếp chồng chip 3 chiều (3D) được ngành công nghiệp bộ nhớ gọi là công nghệ TSV (through silicon via). Samsung cho biết, quy trình TSV tiết kiệm tới 40% năng lượng tiêu thụ của một RDIMM thông thường. Sử dụng công nghệ TSV sẽ cải thiện đáng kể mật độ chip trong các hệ thống máy chủ thế hệ tiếp theo, Samsung cho biết, làm cho nó hấp dẫn đối với những hệ thống hiệu năng cao, mật độ cao.

Công nghệ TSV tạo ra các lỗ có kích thước vô cùng bé (tính bằng micron) từ đầu đến cuối chip silicon theo chiều dọc thay vì chỉ theo chiều ngang, tạo ra kiến trúc dày đặc hơn nhiều. Samsung cho biết, cuối cùng họ có kế hoạch áp dụng công nghệ TSV vào bộ nhớ được xây dựng với mạch 30nm và nhỏ hơn.

Mô-đun RDIMM mới đã được nhiều đối tác sản xuất hệ thống lớn của Samsung thử nghiệm thành công. Samsung không đưa ra bất kỳ mức giá đề xuất nào cho sản phẩm RDIMM mới.

Có thể sản phẩm RDIMM mới sẽ sẵn sàng cho các nhà sản xuất thiết bị trong nửa sau của năm 2011.