SK Hynix ra mắt công nghệ HBM4 đầu tiên trên thế giới: 16 lớp, băng thông 2,0TB/s & vi xử lý logic TSMC

Trong khuôn khổ Hội nghị Công nghệ Bắc Mỹ đang diễn ra, SK Hynix đã gây chú ý khi quyết định công bố rộng rãi công nghệ HBM4 cùng hàng loạt sản phẩm bộ nhớ đột phá khác, khẳng định tham vọng chiếm lĩnh vị thế dẫn đầu trong cuộc đua AI.

Trong thị trường HBM (High Bandwidth Memory), SK Hynix đang vượt xa các đối thủ nhờ công nghệ HBM4. Nhà sản xuất Hàn Quốc tuyên bố đã sẵn sàng tung ra phiên bản thương mại, trong khi các đối thủ như Micron hay Samsung vẫn đang trong giai đoạn thử nghiệm. Điều này cho thấy SK Hynix đang dẫn trước các đối thủ một bước. Tại sự kiện của TSMC, SK Hynix đã trưng bày loạt sản phẩm “bộ nhớ AI” tiên tiến, nhận được nhiều sự quan tâm từ thị trường.

Đáng chú ý nhất là HBM4 với thông số kỹ thuật ấn tượng: dung lượng lên đến 48 GB, băng thông 2.0 TB/s và tốc độ I/O đạt 8.0 Gbps. SK Hynix cho biết công ty đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt từ cuối quý 2 năm 2025, đồng nghĩa sản phẩm tích hợp HBM4 có thể xuất hiện từ cuối năm nay. Đây cũng là doanh nghiệp đầu tiên công bố công nghệ HBM4 ra công chúng.

Bên cạnh đó, SK Hynix còn giới thiệu HBM3E 16 lớp – chuẩn bộ nhớ đầu tiên trên thế giới đạt băng thông 1.2 TB/s. Công nghệ này dự kiến tích hợp vào cụm AI GB300 “Blackwell Ultra” của NVIDIA, trước khi hãng chuyển sang dùng HBM4 cho thế hệ Vera Rubin. SK Hynix tiết lộ họ đã thành công trong việc kết nối nhiều lớp nhờ kỹ thuật Advanced MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill) và TSV (Through-Silicon Via), đặt nền móng cho các tiêu chuẩn tương lai.

Không dừng lại ở HBM, SK Hynix còn trưng bày dòng sản phẩm mô-đun bộ nhớ máy chủ RDIMM và MRDIMM, được phát triển dựa trên chuẩn DRAM 1c mới. Nhờ đó, các mô-đun này đạt tốc độ lên đến 12,500 MB/s – con số ấn tượng trong ngành.

Cụ thể, hãng tập trung vào các giải pháp nâng cao hiệu suất AI và trung tâm dữ liệu, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng. Đáng chú ý gồm:

• MRDIMM: Tốc độ 12.8 Gbps, dung lượng 64 GB, 96 GB và 256 GB.
• RDIMM: Tốc độ 8 Gbps, dung lượng 64 GB và 96 GB.
• 3DS RDIMM 256 GB: Thiết kế 3D Stacked cho khả năng mở rộng vượt trội.

Rõ ràng, SK Hynix đang chiếm ưu thế trong thị trường HBM và DRAM nhờ liên tục đột phá công nghệ và hợp tác chiến lược với các “ông lớn” như NVIDIA. Việc dẫn trước Samsung – đối thủ truyền kiếp – cho thấy tầm nhìn dài hạn của hãng trong kỷ nguyên AI đầy cạnh tranh.