Samsung trình làng DRAM 36GB HBM3E 12H với hàng loạt nâng cấp ấn tượng

Samsung vừa giới thiệu một thành tựu “đột phá” mới trong lĩnh vực sản xuất DRAM: HBM3E 12H. Sự kiện này đánh dấu một cột mốc quan trọng đối với không chỉ Samsung mà trên toàn thị trường khi lần đầu tiên một mẫu DRAM HBM3E 12 ngăn thương mại được ra mắt chính thức, đồng thời cũng là "sản phẩm HBM có dung lượng cao nhất cho đến nay".

Bộ nhớ HBM3E 12H cung cấp băng thông lên tới 1.280 gigabyte mỗi giây (GB/s), cùng với dung lượng lưu trữ 36 gigabyte. Cả hai khía cạnh này đều có sự cải thiện hơn 50% so với nền tảng HBM3 8H. Samsung đã sử dụng công nghệ màng không dẫn điện nén nhiệt tiên tiến (TC NCF) trong cấu hình 12 lớp, duy trì thông số chiều cao tương tự như phiên bản 8 lớp để đáp ứng các yêu cầu gói HBM hiện có.

Phó chủ tịch điều hành mảng sản phẩm bộ nhớ của Samsung, Yongcheol Bae, cho biết:

Các nhà cung cấp dịch vụ AI trong ngành ngày càng có nhu cầu lớn về bộ nhớ HBM dung lượng cao, và sản phẩm HBM3E 12H mới của Samsung đã được thiết kế để đáp ứng hiệu quả nhu cầu đó. Giải pháp bộ nhớ mới này là một phần trong nỗ lực của chúng tôi nhằm phát triển các công nghệ cốt lõi cho HBM cao cấp, dẫn đầu về công nghệ cho thị trường bộ nhớ HBM công suất cao trong kỷ nguyên AI.

Tiến bộ công nghệ này mang lại hàng loạt lợi ích bổ sung, đặc biệt trong việc giải quyết các vấn đề cong vênh khuôn chip liên quan đến khuôn mỏng ở các thiết kế ngăn xếp lớn. Theo Samsung, lợi thế giảm độ dày của vật liệu NCF đã giúp tạo ra mức khoảng cách cực nhỏ giữa các con chip ở mức 7 micromet (µm), và loại bỏ khoảng trống giữa các lớp. Do đó, mật độ theo chiều dọc đã được cải thiện, vượt quá 20% so với HBM3 8H.

Việc ứng dụng thành công TC NCF của Samsung mở rộng sang cả lợi ích cải thiện các đặc tính nhiệt của HBM. Điều này đạt được bằng cách cho phép triển khai điểm tiếp xúc ở nhiều kích cỡ khác nhau giữa các chip. Trong quá trình liên kết chip, các phần tiếp xúc nhỏ hơn được đặt ở vùng tín hiệu, trong khi những khu vực lớn hơn được chỉ định để tản nhiệt hiệu quả.

Sự góp mặt của bộ nhớ HBM3E 12H trong các ứng dụng AI dự kiến sẽ giúp tốc độ trung bình trong quy trình đào tạo AI tăng 34%, với khả năng mở rộng số lượng người dùng đồng thời dịch vụ suy luận lên hơn 11,5 lần.

Samsung đã bắt đầu gửi mẫu HBM3E 12H cho các đối tác và dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt vào nửa đầu năm nay.