Samsung sản xuất bộ nhớ flash 3D

Samsung mới đây vừa công bố một bước tiến mới trong công nghệ sản xuất bộ nhớ flash của họ. Hãng công nghệ Hàn Quốc cho biết họ bắt đầu sản xuất đại trà dòng "bộ nhớ flash NAND 3D dọc", hay viết tắt là V-NAND.

Sự đột phá của công nghệ này là các thành phần của chip nhớ không còn được bố trí theo cấu trúc 2 chiều như trước nữa mà Samsung đã chồng dọc các cell nhớ, nhờ công nghệ Charge Trap Flash.

Nhờ công nghệ mới của Samsung, các chip nhớ có thể chứa 24 lớp cell được xếp chồng, giúp tăng dung lượng bộ nhớ dễ dàng.

Cấu trúc này giúp cho bộ nhớ flash có độ ổn định và tốc độ (hiệu năng) cao hơn. Samsung cho biết thế hệ bộ nhớ V-NAND đầu tiên sẽ cho độ ổn định cao hơn từ 2 đến 10 lần, còn tốc độ ghi dữ liệu sẽ cao hơn 2 lần so với các bộ nhớ flash hiện nay của họ (được sản xuất trên tiến trình công nghệ 10 nm).