Samsung phát triển thành công mô-đun RAM DDR5 đầu tiên trên thế giới đạt dung lượng 512GB

Samsung vừa khiến thế giới công nghệ phải một lần nữa nhắc đến tên mình sau khi tuyên bố đã phát triển thành công mô-đun RAM DDR5 đạt dung lượng lên tới 512GB - mẫu RAM DDR5 đầu tiên trên thế giới đạt được mức dung lượng cao đến vậy. Bên cạnh đó, đây cùng là mẫu RAM DDR5 duy nhất ở thời điểm hiện tại được phát triển dựa trên công nghệ “Through-Silicon Via” (TSV).

TSV là gì?

TSV được đánh giá là phương án tuyệt vời giúp giải quyết triệt để mọi vấn đề phát sinh trong quá trình gia công ghép các chip silicon xếp chồng 3D với nhau. Nhờ việc ứng dụng công nghệ tiên tiến này, Samsung có thể xếp chồng tới tám lớp chip DRAM 16Gb để cung cấp mức dung lượng lên đến 512GB trên một mô-đun duy nhất. Nhà sản xuất Hàn Quốc tự hào họ là công ty duy nhất trên thị trường có khả năng đạt được kỳ tích như vậy.

Tốc độ RAM DDR5 mới của Samsung

Mô-đun RAM DDR5 này được cho là có thể truyền dữ liệu với tốc độ lên tới 7200Mbps, tương đương tốc độ truyền khoảng 57,6GB/s trên một kênh duy nhất - cao hơn gấp đôi so với DDR4 thông thường. Đồng thời được thiết kế với khả năng xử lý hiệu quả cho hàng loạt khối lượng công việc tính toán chuyên sâu như siêu máy tính, trí tuệ nhân tạo, máy học (AI/ML) và phân tích dữ liệu.

Để đảm bảo hiệu quả sử dụng điện năng, công nghệ High-K Metal Gate (HKMG) đã được Samsung tận dụng tối đa. Nhờ có sự góp mặt của công nghệ này, các kỹ sư có thể thay thế chất cách điện dựa trên silicon oxynitride truyền thống bằng kim loại và vật liệu mới, qua đó giảm đáng kể dòng điện rò rỉ phát sinh do kết quả của sự mỏng đi liên tục của lớp cách nhiệt khi các thiết kế DRAM trở nên nhỏ hơn và mịn hơn. Mức rò rỉ ít đi dẫn đến dòng điện hoạt động cần thiết cũng giảm xuống. Điều này khiến RAM trở nên tiết kiệm điện năng hơn. Trong các thử nghiệm nội bộ, Samsung tuyên bố rằng DRAM mới của họ ít tiêu tốn điện năng hơn 13% so với các thiết kế không dựa trên công nghệ HKMG.

DDR5 là bước nhảy vọt tiếp theo trong công nghệ bộ nhớ, với lợi thế lớn nhất nằm ở khả năng tối ưu hóa điện năng tiêu thụ và cho tốc độ truyền tải dữ liệu cực cao. Bên cạnh hai yếu tố chính nêu trên, một ưu điểm khác cần nói tới trên DRAM DDR5 đó là bao gồm mã sửa lỗi (ECC) tích hợp, có thể sửa lỗi ở cấp 1-bit và tăng độ ổn định của ứng dụng lên đến tối đa 20 lần. Những lợi thế khác có thể kể đến trên DDR5 bao gồm hai kênh 40-bit độc lập cho mỗi chế độ, hiệu quả của bus lệnh được cải thiện, v.v…

Bộ nhớ RAM 512 GB DDR5 dựa trên công nghệ HKMG của Samsung chưa được sản xuất thương mại. Tuy nhiên, đây chỉ là vấn đề thời gian, và đối tượng khách hàng mà Samsung hướng đến nhiều khả năng sẽ là những công ty đang hoạt động trong các ngành công nghiệp AI và học máy, điện toán, cũng như trung tâm dữ liệu.