Micron đã chính thức công bố lô hàng chip lưu trữ UFS 4.0 đầu tiên dành cho điện thoại thông minh hiện đại, nổi bật với khả năng khởi động nhanh, khởi chạy ứng dụng linh hoạt và xử lý video nhanh chóng. Mẫu chip mới được phát triển trên bộ nhớ NAND 3D 232 lớp của Micron và cung cấp dung lượng lên tới 1TB. Cùng với đó, nhà sản xuất cũng phát hành "firmware cấu hình cao" đi kèm, kết hợp với những cải tiến công nghệ mang lại hiệu suất chưa từng có cho các điện thoại thông minh hàng đầu.
Chip UFS 4.0 của Micron sử dụng các ô ba cấp (TLC) với băng thông ghi 100% và băng thông đọc tăng 75%, dẫn đến tốc độ ghi tuần tự lên tới 4.000 MB/giây và tốc độ đọc tuần tự 4.300 MB/giây. Micron tự hào về kiến trúc NAND sáu mặt phẳng mới (các mảng ô nhớ được xếp chồng lên nhau trong nhiều lớp hơn) giúp tăng thông lượng đọc ngẫu nhiên. Đây là thông số kỹ thuật quan trọng trong việc tăng khả năng phản hồi tổng thể và thời gian tải cũng được rút ngắn hơn. Kiến trúc này sẽ khả dụng trên các thiết bị sử dụng chip UFS 4.0 512GB và 1TB, vì cấu hình 256GB sử dụng NAND bốn mặt phẳng.
![](https://st.quantrimang.com/photos/image/2023/06/22/micron-trinh-lang-chip-nho-ufs-40-moi1.jpg)
Tuy nhiên, tất cả không chỉ nằm ở tốc độ. Bộ nhớ mới của Micron hứa hẹn tăng 25% hiệu quả sử dụng năng lượng, đảm bảo điện thoại thông minh không bị hao pin nhanh ngay cả khi hiệu suất được cải thiện. Người dùng có thể mong đợi tốc độ khởi chạy ứng dụng nhanh hơn 15%, tốc độ khởi động nhanh hơn 20% và hiệu quả sử dụng năng lượng tốt hơn 25% khi so sánh với các giải pháp lưu trữ UFS 3.1 hiện có trên thị trường. Ngoài ra, ổ lưu trữ UFS 4.0 của Micron mang lại độ trễ ghi tốt hơn 10% so với những gì các nhà sản xuất khác cung cấp (có thể là chip UFS 4.0 của Samsung được công bố vào năm 2022).
Micron hứa hẹn sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip lưu trữ UFS 4.0 mới vào nửa cuối năm 2023, mang đến cho các nhà sản xuất điện thoại thông minh ba cấu hình lưu trữ: 256GB, 512GB và 1TB. Ngoài các mẫu smartphone hàng đầu, bộ lưu trữ mới của Micron sẽ có mặt trên ô tô, hệ thống máy tính và các thiết bị khác yêu cầu bộ nhớ tiêu thụ điện năng thấp với hiệu suất cao và độ tin cậy ổn định.