Intel ra bộ nhớ NOR flash 1Gb cho điện thoại di động

Ngày 8/11, tập đoàn Intel đã công bố xuất xưởng với số lượng lớn các sản phẩm bộ nhớ khoang đa cấp (MLC) NOR flash 65 nanomet (nm), bao gồm cả sản phẩm nguyên khối 1 Gb đầu tiên của ngành công nghiệp dành cho điện thoại di động. Những sản phẩm mới này được phát triển dựa trên kiến trúc bộ nhớ StrataFlash Cellular Memory (M18) của Intel và có khả năng tương thích tốt với các chip flash sử dụng công nghệ 90 nm.

Nhằm vào các điện thoại di động đa phương tiện với máy chụp hình có độ phân giải mega-pixel, các khả năng video và xử lý dữ liệu tốc độ cao, bộ nhớ NOR MLC 1 Gb đơn chip này hoàn toàn phù hợp với những điện thoại di động thế hệ tiếp theo sắp được tung ra thị trường.

“Mật độ 1 Gb của sản phẩm chúng tôi mang lại gần gấp đôi khả năng lưu trữ cho các file đa phương tiện và cho phép tạo ra những điện thoại có kiểu dáng mỏng hơn bao giờ hết, cả hai đều là những yếu tố chủ đạo đối với các khách hàng của chúng tôi” ông Darin Billerbeck, Phó Chủ tịch kiêm Tổng Giám đốc, Nhóm các sản phẩm flash của Intel, phát biểu. Intel cũng có một lộ trình phát triển công nghệ 65 nm hỗ trợ các mật độ 512Mb, 256Mb và 128Mb thuộc họ sản phẩm M18 trong năm 2007.

Các sản phẩm NOR MLC 65 nm mới từ có tốc độ đọc dữ liệu nhanh (lên tới 133MHz) và cải thiện tốc độ ghi dữ liệu (lên tới 1 Mb/gíây), mang lại các khả năng xử lý nhanh hơn và lưu trữ lớn hơn cho máy ảnh 4 mega-pixel và video MPEG-4. Tốc độ ghi dữ liệu trên phiên bản 65 nm nhanh gấp đôi so với sản phẩm thế hệ trước của Intel. Thời gian sử dụng pin cũng được tăng cường với mức tiêu thụ điện năng thấp, hoạt động ở 1,8 volt và một chế độ ngủ tiết kiệm điện sâu.