Huawei và đối tác sản xuất chip SiCarrier đã nộp đơn đăng ký sáng chế mới lên Cục Sở hữu Trí tuệ Quốc gia Trung Quốc (CNIPA), mô tả cách sản xuất chip tiên tiến không cần máy quang khắc hiện đại.
Cụ thể, hãng đã phát triển công nghệ gọi là Self-aligned Quadruple Patterning (SAQP), cho phép giảm sự phụ thuộc vào kỹ thuật in thạch bản cao cấp.
SAQP là kỹ thuật khắc các rãnh trên tấm bán dẫn silicon nhiều lần, để tăng mật độ bóng bán dẫn, giúp tăng hiệu suất cho chip. Công nghệ này giúp hai công ty không cần đến thiết bị in thạch bản cực tím hiện đại EUV của ASML mà vẫn có thể tạo ra chip tiên tiến. ASML là hãng duy nhất sản xuất cỗ máy EUV nhưng không thể bán cho Trung Quốc vì các lệnh hạn chế của Mỹ.
SiCarrier là nhà phát triển thiết bị sản xuất chip được nhà nước hậu thuẫn và có hợp tác với Huawei. Vào cuối năm 2023, SiCarrier từng được cấp bằng sáng chế mô tả việc sử dụng kỹ thuật in khắc tia cực tím sâu (DUV), kết hợp SAQP để đạt được các ngưỡng kỹ thuật tương tự trên chip 5 nm.
Dan Hutcheson, Phó chủ tịch công ty nghiên cứu TechInsights cho rằng, SAQP có thể được xem là công nghệ đủ tốt giúp Trung Quốc tự sản xuất chip trên tiến trình 5 nm. Tuy nhiên về lâu dài, Trung Quốc vẫn cần có trong tay máy quang khắc siêu cực tím EUV do SAQP không khắc phục được hoàn toàn vấn đề kỹ thuật phát sinh khi thiếu EUV.
Nếu Huawei và đối tác sử dụng phương pháp mới thay thế EUV để sản xuất chip thì giá mỗi chip được tạo ra có thể cao hơn tiêu chuẩn ngành.
Theo Reuters, trong bối cảnh các cỗ máy EUV nằm ngoài tầm với, một nhóm các nhà sản xuất thiết bị chip Trung Quốc đang xem xét bổ sung công nghệ SAQP để tạo chip 7 nm. Bắc Kinh cũng ủng hộ và thúc đẩy các công ty bán dẫn trong nước tự chủ sản xuất.