Samsung trình làng hàng loạt chuẩn bộ nhớ mới: “Shinebolt” HBM3E 9,8Gbps, GDDR7 32Gbps, LPDDR5x CAMM2 7,5Gbps

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo đang rất được mong đời, bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2, v.v. trong khuôn khổ sự kiện thường niên Memory Tech Day 2023 của công ty. Trong đó, dòng bộ nhớ HBM3E có tên mã "Shine Bolt" và công nghệ GDDR7 dành cho các ứng dụng trung tâm dữ liệu, trò chơi và AI yêu cầu hiệu năng cao có thể được coi là hai điểm nhấn nổi bật nhất của chương trình năm nay.

Samsung HBM3E "Shinebolt" dành cho trung tâm dữ liệu và AI

Dựa trên kiến thức chuyên môn trong việc thương mại hóa HBM2 đầu tiên trong ngành và mở ra thị trường HBM cho điện toán hiệu năng cao (HPC) vào năm 2016, Samsung đã chính thức công bố DRAM HBM3E thế hệ tiếp theo có tên Shinebolt. Dòng bộ nhớ mới được kỳ vọng sẽ mang lại khả năng hỗ trợ tối ưu cho các ứng dụng AI, cải thiện tổng chi phí sở hữu (TCO) và tăng tốc quá trình đào tạo cũng như suy luận về mô hình AI trong trung tâm dữ liệu.

Bộ nhớ HBM3E của Samsung được cho là sở hữu tốc độ ấn tượng 9,8 gigabit/giây (Gbps) trên mỗi pin, nghĩa là nó có thể đạt tốc độ truyền tối đa vượt quá 1,2 terabyte/giây (TBps). Để có thể tích hợp xếp chồng lớp cao hơn và cải thiện đặc tính nhiệt, Samsung đã tối ưu hóa công nghệ màng không dẫn điện (NCF) để loại bỏ khoảng trống giữa các lớp chip và tối đa hóa mức độ dẫn nhiệt. Các sản phẩm HBM3 8H và 12H của Samsung hiện đang được sản xuất hàng loạt, trong khi nguyên mẫu đang được chuyển đến đối tác trên toàn thế giới.

So sánh thông số kỹ thuật bộ nhớ HBM:

Samsung GDDR7 - DRAM32 Gbps & 32Gb card đồ họa chơi game thế hệ mới

Các sản phẩm khác được nêu bật tại sự kiện bao gồm DRAM 32Gb DDR5 với dung lượng cực lớn, GDDR7 32Gbps đầu tiên trong ngành và PBSSD quy mô petabyte, giúp tăng cường đáng kể khả năng lưu trữ cho các ứng dụng máy chủ.

Theo Samsung, bộ nhớ GDDR7 sẽ tăng hiệu suất 40% và cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng 20% so với DRAM GDDR6 24 Gbps nhanh nhất hiện nay. Các sản phẩm GDDR7 thương mại đầu tiên của hãng sẽ tốc độ truyền lên tới 32 Gbps, tương đương mức cải thiện 33% so với bộ nhớ GDDR6, trong khi băng thông lên tới 1,5TB/s sẽ có thể đạt được trên giải pháp giao diện bus 384-bit.

Đây là băng thông mà tốc độ pin 32Gbps sẽ cung cấp trên các cấu hình bus khác nhau:

• 512-bit - 2048GB/s (2.0 TB/s)
• 384-bit - 1536GB/s (1.5 TB/s)
• 320-bit - 1280GB/s (1.3 TB/s)
• 256-bit - 1024GB/s (1.0 TB/s)
• 192-bit - 768GB/s
• 128-bit - 512GB/s

Ngoài ra, Samsung GDDR7 DRAM được cho là sẽ bao gồm công nghệ được tối ưu hóa đặc biệt cho khối lượng công việc tốc độ cao, và cũng sẽ có tùy chọn điện áp hoạt động thấp được thiết kế cho các ứng dụng sử dụng năng lượng thấp như trên máy tính xách tay. Đối với tản nhiệt, tiêu chuẩn bộ nhớ mới sẽ sử dụng hợp chất đúc epoxy (EMC) có độ dẫn nhiệt cao giúp giảm khả năng cản nhiệt tới 70%. Vào tháng 8, có thông tin cho rằng Samsung đang gửi các nguyên mẫu DRAM GDDR7 của mình cho NVIDIA để đánh giá khả năng tích hợp trên dòng card đồ họa chơi game sắp ra mắt.

Samsung LPDDR5x dành cho mô-đun CAMM2 thế hệ tiếp theo

Để xử lý những tác vụ sử dụng nhiều dữ liệu, các công nghệ AI ngày nay đang hướng tới mô hình kết hợp phân bổ và phân bổ khối lượng công việc giữa thiết bị đám mây và biên. Theo đó, Samsung đã giới thiệu một loạt giải pháp bộ nhớ hỗ trợ hiệu năng cao, dung lượng cao, tiêu thụ điện năng thấp và hình thức nhỏ gọn ở phía thiết bị biên.

Ngoài LPDDR5X CAMM2 7,5Gbps đầu tiên trong ngành, dự kiến sẽ là nhân tố thay đổi cuộc chơi thực sự trong thị trường DRAM cho PC và máy tính xách tay thế hệ tiếp theo, Samsung cũng giới thiệu DRAM LPDDR5X 9,6Gbps, là mẫu DRAM LLW chuyên dùng cho AI. Cùng với đó là Universal Flash Storage (UFS) thế hệ mới và SSD Quad-Level Cell (QLC) BM9C1 dung lượng cao dành cho PC.