Công nghệ nhớ "memristor" sẽ nối tiếp flash và DRAM

Các nhà khoa học của HP đã thực hiện một bước đột phá nhỏ trong việc phát triển công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp, gọi là memristor, được một số người xem là sự thay thế tiềm năng cho các công nghệ flash và DRAM.

Trong một bài báo được công bố ngày 9/5/2011 trên tạp chí "Nanotechnology", các nhà khoa học cho biết họ đã định hình được cấu trúc và quá trình hóa học cơ bản của những gì xảy ra bên trong memristor trong thời gian nó vận hành bằng điện.

Trước đây, mặc dù memristor đã được phát triển trong phòng thí nghiệm, các nhà khoa học không biết chính xác những gì xảy ra bên trong các cấu trúc nhỏ của nó. Vì vậy, trong khi HP hầu như đã tự tin là có thể thương mại hóa công nghệ, khám phá này sẽ cho phép họ cải thiện hiệu quả của công nghệ rất nhiều, nhà nghiên cứu Stan Williams của HP nói.

Memristor được giáo sư Leon Chua tại Đại học California, Berkeley mô tả đầu tiên hồi năm 1971. Trước đó, các nhà khoa học chỉ biết 3 phần tử mạch điện cơ bản - điện trở, tụ điện và cuộn cảm. Giáo sư Chua cho rằng có phần tử thứ 4.

Nhiều thập kỷ sau, các nhà khoa học tại HP đã chứng minh rằng memristor tồn tại, và hơn nữa đã chứng minh rằng có thể làm cho chúng chuyển đổi qua lại giữa 2 hay nhiều cấp độ của điện trở, và điều này sẽ cho phép chúng đại diện cho các giá trị 1 và 0 trong tính toán kỹ thuật số.

Mặc dù biết như vậy, nhưng các nhà khoa học thấy rất khó nghiên cứu vì memristor quá nhỏ bé. Bước đột phá mới nhất của HP là sử dụng các tia X tập trung cao để xác định một kênh chỉ rộng 100 nanomet, trong đó sự chuyển đổi điện trở xảy ra. Từ đó họ định hình được chất hóa học và cấu trúc của kênh đó, nhờ vậy đạt được một ý niệm tốt hơn về cách memristor hoạt động.

Loại bộ nhớ có thể được xây dựng với memristor, ReRAM, là bộ nhớ non-volatile, có thể duy trì dữ liệu sau khi nguồn điện bị tắt. Ông Williams dự đoán, công nghệ memristor của HP có thể được thương mại hóa vào giữa năm 2013.

Memristor là một trong nhiều loại bộ nhớ đang được phát triển như những sự thay thế tiềm năng cho flash và DRAM.