Chip nhớ mới của IBM nhanh gấp 100 lần flash

IBM đạt một bước đột phá mới về trao đổi dữ liệu "tức thời" trong công nghệ PCM, cho phép tốc độ trao đổi dữ liệu nhanh hơn công nghệ flash tới 100 lần.

Công nghệ PCM (tạm dịch: điều chuyển bộ nhớ theo pha) là một trong những công nghệ mới thay thế flash sắp ra mắt. Công nghệ này cho phép mật độ chíp dày đặc hơn, nhanh hơn và kích thước nhỏ hơn.

Các nhà khoa học của IBM tại Thuỵ Sỹ đạt tới bước đột phá này khi giải quyết được 2 vấn đề lớn trong khâu thiết kế. PCM hoạt động được nhờ sử dụng một hợp kim chuyên dụng có thể tự thay đổi trạng thái vật lý từ dạng tinh thể có điện trở thấp sang trạng thái không định hình có điện trở cao, bằng cách thay đổi điện áp. Khi điện trở của chip tăng lên, nó có thể chứa được nhiều dữ liệu hơn trong một đơn vị so với chip nhớ flash. Khi "nhồi" dữ liệu vào với độ trễ 10 micro giây, PCM thể hiện tốc độ nhanh hơn 100 lần so với flash.

Tuy vậy, việc thay đổi các phần của chip sang trạng thái không định hình sẽ gây ra một số trục trặc dẫn đến lỗi đọc dữ liệu do điện trở liên tục tăng. Để giải quyết vấn đề này, IBM đã phát triển một công nghệ lập trình theo module (modulation-coding) tiên tiến, hoặc dùng phần mềm để kiểm soát và điều chỉnh các sai sót phát sinh do điện trở thay đổi liên tục gây ra.

IBM cho biết công nghệ lưu trữ dữ liệu thế hệ mới này dự kiến sẽ chỉ trang bị cho máy chủ vào năm 2016 chứ chưa có kế hoạch đưa vào máy tính và điện thoại.