Toshiba muốn dẫn đầu thị trường bộ nhớ nhanh

Ngày 10/2, Tập đoàn điện tử Toshiba (Nhật Bản) cho biết trong năm nay họ sẽ đầu tư xây dựng một nhà máy sản xuất bộ nhớ nhanh NAND với công suất 150.000-200.000 sản phẩm mỗi tháng nhằm vươn lên dẫn đầu trong cuộc chạy đua chiếm lĩnh thị trường bộ nhớ nhanh toàn cầu.

Toshiba sẽ xây dựng nhà máy mới trong 3 năm ngay cạnh các nhà máy hiện có tại thành phố Yokkaiichi (tỉnh Mie, Nhật Bản), với tổng số vốn đầu tư lên tới 800 tỷ yen (gần 9 tỷ USD). Đây sẽ là nhà máy sản xuất bộ nhớ nhanh thứ 5 của Toshiba chỉ tính riêng trên tỉnh Iwate và sẽ nâng tổng công suất của hãng lên mức 500.000 sản phẩm/tháng.

Nếu như vậy, Toshiba sẽ vượt xa công ty điện tử khổng lồ Samsung (Hàn Quốc) với công suất 300.000 sản phẩm/tháng để trở thành nhà sản xuất bộ nhớ lớn nhất thế giới vào năm 2013.

Toshiba dự định sẽ sản xuất các sản phẩm công nghệ thế hệ mới nhất của hãng là chất bán dẫn có mạch điện chỉ 20 nano tại nhà máy Yokkaiichi. Chất bán dẫn mới này sẽ có giá thành bằng 1/2 bộ nhớ NAND và bằng 1/3-1/4 bộ nhớ thông dụng hiện nay là DRAM.

Vào tháng 2/2008, Toshiba đã lên kế hoạch xây dựng 2 nhà máy mới sản xuất bộ nhớ tại Yokkaiichi và thành phố Kitakami (tỉnh Iwate), với tổng giá trị đầu tư 1.700 tỷ yen, song đã phải ngừng kế hoạch này do cuộc suy thoái kinh tế đã khiến nhu cầu về mặt hàng này giảm mạnh.

Tuy vậy, trước tình hình thị trường thế giới gần đây cho thấy dấu hiệu phục hồi, Toshiba quyết định trước mắt sẽ xây dựng nhà máy tại thành phố Yokkaiichi để thăm dò thị trường và nếu kết quả kinh doanh thuận lợi thì sẽ tiếp tục xây dựng nhà máy còn lại.

Toshiba đã ký một thỏa thuận thành lập liên doanh sản xuất phụ kiện chất bán dẫn với nhà sản xuất phụ kiện tin học lớn nhất tại Trung Quốc là Nantong Fujitsu Microelectronics Co.

Dự kiến, liên doanh mới sẽ đi vào sản xuất từ tháng 4/2010.