Intel và Micron hợp tác tung ra bộ nhớ QLC NAND tăng mật độ lưu trữ

Hợp tác với Micron Technology, Intel vừa tuyên bố sẵn sàng tung ra đế bán dẫn 3D NAND 4bits/cell (mỗi cell lưu trữ 4 bit dữ liệu). Gia tăng mật độ giúp mỗi đế chứa được 1 terabit dữ liệu và hiện đang là bộ nhớ flash có dung lượng lớn nhất hiện nay.

QLC có mật độ lưu trữ cao hơn 33% so với TLC (3bits/cell). Sản phẩm QLC của Intel và Micron vẫn sử dụng 64 lớp của 3D NAND thế hệ thứ 2.

Intel và Micron hướng tới tăng số lớp lên 96 trong bộ nhớ NAND thế hệ 3 nhưng vẫn dùng công nghệ phổ biến TLC trong nỗ lực xếp lớp chồng dọc. Cả công nghệ QLC 64 lớp và TLC 96 lớp đều dùng CMOS dưới mảng để giữ kích thước đế bán dẫn nhỏ và luôn kiểm tra được mức độ hoạt động.

NAND QLC dẫn đầu thị trường với 4 bit mỗi cell
NAND QLC dẫn đầu thị trường với 4 bit mỗi cell

Đế bán dẫn mới gồm 4 lớp (plane) thay vì cấu tạo 2 lớp như bình thường. Điều này giúp đọc / viết song song nhiều cell hơn, mang tới băng thông lớn hơn và kết quả là tốc độ chung nhanh hơn cho cả hệ thống.

“Việc thương mại hóa 1Tb 4bits/cell là dấu mốc quan trọng trong lịch sử NVM, nhờ nhiều phát minh trong công nghệ và thiết kế hướng tới mang lại nhiều khả năng hơn cho công nghệ Floating Gate 3D NAND”, RV Giridhar, phó chủ tịch Intel nói.

Dù các ứng dụng điện toán đám mây và trung tâm dữ liệu sẽ được nhiều lợi ích nhất từ công nghệ mới này, nhưng người dùng cũng sẽ được lợi. Giảm chi phí khi tăng mật độ lưu trữ sẽ giúp giảm chi phí chung, dù sẽ phải mất thời gian trước khi ra mắt thị trường.

Xem thêm:

Thứ Sáu, 01/06/2018 15:20
31 👨 196
0 Bình luận
Sắp xếp theo