SK hynix giới thiệu công nghệ mới, hứa hẹn mang tới tốc độ nhanh chưa từng có cho bộ nhớ LPDDR4 trên smartphone

Nhà sản xuất và thiết kế chip DRAM hàng đầu thế giới SK hynix vừa chính thức công bố giai đoạn tiếp theo đối với kế hoạch chế tạo chip nhớ dựa trên dây chuyền in thạch bản cực tím (EUV). Trong đó, đáng chú ý hơn cả là sự xuất hiện của một công nghệ mới có tên "1anm". Đây về cơ bản là tái tên kế nhiệm cho công nghệ 1znm ra mắt vào năm 2019 và đã mang về khá nhiều thành công cho SK hynix.

Bằng cách sử dụng công nghệ 1anm, nhà sản xuất Hàn Quốc sẽ có thể tạo ra hàng loạt các sản phẩm DRAM 10nm thế hệ thứ tư mới nhất, được “đóng gói” với số lượng bóng bán dẫn dày đặc hơn đáng kể so với quy trình thế hệ trước. Mật độ bóng bán dẫn cao hơn của công nghệ 1a cũng sẽ cho phép công ty trích xuất thêm 25% chip từ cùng kích thước wafer so với 1z.

Về mặt cải tiến liên quan đến hiệu năng, SK hynix tự tin tuyên bố công nghệ 1anm mới hoàn toàn có thể cho phép bộ nhớ LPDDR4 đạt tốc độ lên tới 4266Mbps - mức hiệu suất mà cho đến nay thường chỉ xuất hiện khi có sự kết hợp với chip LPDDR4X - và cũng là tốc độ truyền tải nhanh nhất trong thông số DRAM di động LPDDR4 tiêu chuẩn. Bên cạnh tốc độ cao hơn, mức tiêu thụ điện năng cũng dự kiến sẽ giảm 20%, mang đến hiệu quả sử dụng tuyệt vời trên các thiết bị dùng pin như điện thoại thông minh, máy tính bảng, hay thậm chí là cả máy tính xách tay. Theo kế hoạch, một số mẫu smartphone sở hữu chip 1anm cơ bản này dự kiến sẽ có mặt trên thị trường vào nửa cuối năm nay.

Bên cạnh việc sử dụng 1anm trong LPDDR4 để trang bị trên điện thoại thông minh, SK hynix cũng hy vọng sẽ sớm có thể tích hợp quy trình này trong các sản phẩm DDR5 mà hãng đã công bố vào năm ngoái.