SanDisk công bố công nghệ chip nhớ 32nm X3 flash

Tại Hội nghị quốc tế về mạch bán dẫn (ISSCC) 2009 (San Francisco - Mỹ), SanDisk hợp tác với Toshiba đã công bố công nghệ chip nhớ mới nhất (32nm X3 flash) kết hợp giữa quy trình chế tạo chip 32nm và khả năng lưu trữ 3 bít dữ liệu /ô nhớ (cell) của chip cho mật độ lưu trữ đạt mức độ cao nhất.

Đây là loại chip Flash NAND ô nhớ đa mức với dung lượng 32Gb và 3 bit dữ liệu lưu trữ trên mỗi cell, tất cả được đóng gói đủ nhỏ để vừa vặn với kích thước loại thẻ nhớ microSD.

Việc hãng cho ra đời loại thẻ nhớ này là nhằm tăng dung lượng lưu trữ cho loại thẻ microSD có kích thước nhỏ và để tăng sự cân bằng với việc bán ĐTDĐ hay các thiết bị giải trí đa phương tiện mà yêu cầu thêm thẻ nhớ dung lượng lớn.

Sớm qua (10/2), SanDisk và Toshiba cũng đã công bố kế hoạch tung ra thị trường loại thẻ nhớ dạng X4 NAND flash có dung lượng lớn. Công nghệ được sử dụng cho loại thẻ này là một bộ điều khiển nhớ mới và sử dụng 4 bit dữ liệu /cell trong khi vẫn duy trì tốc độ truyền tải dữ liệu là 7,8MB/giây. Dung lượng lên tới 64GB gấp đôi so với thẻ 32GB mà Toshiba đã bắt đầu sản xuất từ cuối năm ngoái.

Hãng dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất dòng thẻ 32nm 32Gb X3 vào Quý II/2009, Toshiba sẽ cung cấp các thành phần chip nhớ cho Apple để tích hợp cho iPhone hay iPod touch.